国外集成电路命名方法

                        国外集成电路命名方法国外集成电路命名方法|国外主要集成电路生产厂家的集成电路命名方法                              ||                                                                                      ||缩写字符：AMD  译名：先进微器件公司（美）                                |                                        器件型号举例说明 |AM        |29L509|P                |C              |B                  |          ||ANA首标  |器件    |附加说明        |温度范围    |封装形式        |筛选水  ||            |        |                  |                |                    |平        ||AD：模拟|编号    |A：第二代产品|I、J、K、L  |D：陶瓷或金属  |MIL-STD||器件      |        |；                |、M：        |气                |-        ||HA：混合|         |DI：介质隔离  |（0-70）℃；|密双列封装      |883B级  ||            |        |产                |                |                    |。        ||A/D；    |         |品；            |A、B、C：    |（多层陶瓷）；|         ||HD：混合|         |Z：工作在+12V|（-25-85）℃|E：芯片载体；  |         ||            |        |                  |；            |                    |          ||D/A。    ……