VCO_Pulling对于零中频发射机之相位误差的危害
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由于现今智能手机要求的 RF 功能越来越多,这连带使得零件数目越来越多,且 越来越要求轻薄短小1,而零中频架构,由于具备了低成本,低复杂度,以及 高整合度,这使得零中频架构的收发器,在手持装置,越来越受欢迎2但连 带也有一些缺失,其中一项便是所谓的 VCO Pulling,如下图36 在零中频架构中,因为主频讯号的频率与 LO 相同,所以有可能会泄漏并造成干 扰,而整个发射路径中,最可能的泄漏来源为 PA 输出端与天线端,因为 PA 输 出端的能量最强,因此会以传导方式干扰,而天线端则是会直接以辐射方式干扰, 使调变精确度下降,导致相位误差,频率误差,以及 EVM 都会有所劣化6 1 由于 PA 的输入功率范围一向很广,以 RFMD 的 RF3225 为例,其输入功率范围 为 0 dBm 6 dBm,这表示收发器的输出功率,即便扣掉 Mismatch Loss 与 Insertion Loss,仍符合 PA 的输入功率范围,因此一般而言,较少调校此处的匹 配然而 PA 的输入端,其实也是 DADriver Amplifier的 Loadpu......
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