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金属氧化物半导体气敏机理探析

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标签: 金属氧化物半导体气敏机理探析

金属氧化物半导体气敏机理探析

讨论了金属氧化物半导体表面的气2气、气2固反应及其相应的电子过程,  建立了分析气敏作用机理的理论模型,  并提出了改进传感器性能的指导性意见。关键词:  气敏传感器;  金属氧化物半导体;  晶粒势垒Abstract:  The  react  ion  s  of  gas2gas  and  gas2so  lid  on  the  su  rface  ofm  etal2ox  ide  sem  iconduc2  to  r  and  react  ive  elect  ron  ic  p  rocesses  are  discu  ssed  in  th  is  paper.  A  lso,  the  theo  ret  icalmodel  fo  r  analysiing  gas  sen  sit  ivem  echan  ism  is  estab  lished,  and  som  e  gu  iding  suggest  ion  s  fo  r  im2  p  roving  perfoum  ances  of  gas  sen  so  r  are  p  rovided  in  th  is  paper.Key  words:  gas  sen  so  r;  m  etal2ox  ide  sem  iconducto  r;  grain  boundary

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