FM25L04 pdf datasheet (4Kb FRAM Serial 3V Memory)

The  FM25L04  is  a  4-kilobit  nonvolatile  memoryemploying  an  advanced  ferroelectric  process.  Aferroelectric  random  access  memory  or  FRAM  isnonvolatile  and  performs  reads  and  writes  like  aRAM.  It  provides  reliable  data  retention  for  45  yearswhile  eliminating  the  complexities,  overhead,  andsystem  level  reliability  problems  caused  byEEPROM  and  other  nonvolatile  memories.Unlike  serial  EEPROMs,  the  FM25L04  performswrite  operations  at  bus  speed.  No  write  delays  areincurred.  Data  is  written  to  the  memory  arrayimmediately  after  each  byte  has  been  transferred  tothe  device.  The  next  bus  cycle  may  commencewithout  the  need  for  data  polling.  In  addition,  theproduct  offers  virtually  unlimited  write  endurance.Also,  FRAM  exhibits  much  lower  powerconsumption  than  EEPROM.These  capabilities  make  the  FM25L04  ideal  fornonvolatile  memory  applications  requiring  frequentor  rapid  writes  or  low  power  operation.  Examplesrange  from  data  collection,  where  the  number  ofwrite  cycles  may  be  critical,  to  demanding  industrialcontrols  where  the  long  write  time  of  EEPROM  cancause  data  loss.The  FM25L04  provides  substantial  benefits  to  usersof  serial  EEPROM  as  a  hardware  drop-inreplacement.  The  FM25L04  uses  the  high-speed  SPIbus,  which  enhances  the  high-speed  write  capabilityof  FRAM  technology.  Device  specifications  areguaranteed  over  an  industrial  temperature  range  of-40°C  to  +85°C.