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2_9GHz0_35μm CMOS低噪声放大器.pdf(fr

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9GHz0

低噪

低噪

声放

声放

大器

声放

                        2_9GHz0_35μm  CMOS低噪声放大器 第  11  期  2001  年  11  月电      子      学      报ACTA  ELECTRONICA  SINICAVol  .  29     No.  11     Nov.     2001μ  219  GHz  0135  m  CMOS  低噪声放大器陶   蕤  ,王志功  ,谢婷婷  ,陈海涛(  东南大学射频与光电集成电路研究所  ,江苏南京  210096)    摘   要:     随着特征尺寸的不断减小  ,  深亚微米  CMOS  工艺其  MOSFET  的特征频率已经达到  50  GHz  以上  ,  使得利  用  CMOS  工艺实现  GHz  频段的高频模拟集成电路成为可能  .  越来越多的射频工程师开始利用先进的  CMOS  工艺设计  射频集成电路  ,本文给出了一个利用  0135  μ  m  CMOS  工艺实现的  219  GHz  单片低噪声放大器  .  放大器采用片内集成的螺  旋电感实现低噪声和单片集成  .  在  3  伏电源下  ,工作电流为  8mA  ,功率增益大于  10dB  ,输入反射小于  -  12dB.  关键词  :     CMOS  工艺  ;  低噪声放大器  ;  螺旋电感  中图分类号  :     TN722       文献标识码  :     A       文章编号  :     037222112  (2001)  1121530203μ  219  GHz  0135  m  CMO  S  Low  Noise  AmplifierTAO  Rui  ,WANG  Zhi2gong  ,XIE  Ting2ting  ,CHEN  Hai2tao(  Institute  of  RF2  &  OE2ICs  ,  Southeast  University  ,  Nanjing  ,  Jiangsu  210096  ,  China)Abstract  :     With  the  scaling2down  of  the  transistor  gate2leng……                       

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