MCRPCHIP工程师写的关于MOSFET驱动资料，个人感觉

                        MOSFET驱动AN799MOSFET  驱动器与  MOSFET  的匹配设计作者：Jamie  Dunn  Microchip  Technology  Inc.  2.  由于  MOSFET  驱动器吸收静态电流而产生的功  耗。简介当今多种  MOSFET  技术和硅片制程并存，而且技术进  步日新月异。要根据  MOSFET  的电压  /  电流或管芯尺  寸，  对如何将  MOSFET  驱动器与  MOSFET  进行匹配进  行一般说明，实际上显得颇为困难，甚至不可能。  与任何设计决策一样，在为您设计中的  MOSFET  选择  合适的  MOSFET  驱动器时，需要考虑几个变量。需要  考虑的参数至少需要包括输入至输出的传输时延、静态  电流、抗闭锁和电流驱动能力。驱动器的功率消耗也影  响着封装的决定和驱动器的选择。  本应用笔记将详细讨论与  MOSFET  栅极电荷和工作频  率相关的  MOSFET  驱动器功耗。还将讨论如何根据  MOSFET  所需的导通和截止时间将  MOSFET  驱动器的  电流驱动能力与  MOSFET  栅极电荷相匹配。  Microchip  提供许多不同种类的  MOSFET  驱动器，它们  采用不同的封装，因此可以使设计者为应用中的  MOSFET  选择最合适的  MOSFET  驱动器。公式  2：P  Q  =  (  I  QH  ×  D  +  I  QL  ×  (1  -  D  )  )  ×  V  DD  其中：  IQH  =  驱动器输入为高电平状态  的静态电流  D  =  开关波形的占空比去  IQL  =  驱动器输入为低电平状态  的静态电流  3.  MOSFET  驱动器交越导通（穿通）  电流产生的功  耗。公式  3：P  S  =  CC  ×  F  ×  V  DD  其中：  CC  =  交越常数  （A*sec）  从  上  述  公  式  推  导  得  出，三  部  分  功  耗  中  只  有  一  个  与  MOSFET  栅极电容充电和放电有关。  这部分功耗通常……