一.中国半导体器件型号命名方法 半导体器件型号由五部分(场效应器件.半导体特殊器件.复合管.PIN型管.激光器件的型号命名只有第三.四.五部分)组成。五个部分意义如下: 第一部分:用数字表示半导体器件有效电极数目。2-二极管.3-三极管 第二部分:用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。表示二极管时:A-N型锗材料.B-P型锗材料.C-N型硅材料.D-P型硅材料。表示三极管时:A-PNP型锗材料.B-NPN型锗材料.C-PNP型硅材料.D-NPN型硅材料。 第三部分:用汉语拼音字母表示半导体器件的内型。P-普通管.V-微波管.W-稳压管.C-参量管.Z-整流管.L-整流堆.S-隧道管.N-阻尼管.U-光电器件.K-开关管.X-低频小功率管(F 3MHz,Pc 1W).A-高频大功率管(f>3MHz,Pc>1W).T-半导体晶闸管(可控整流器).Y-体效应器件.B-雪崩管.J-阶跃恢复管.CS-场效应管.BT-半导体特殊器件.FH-复合管.PIN-PIN型管.JG-激光器件。 第四部分:用数字表示序号 第五部分:用汉语拼音字母表示规格号
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