HCS00MS pdf datasheet(Radiation Hardened Quad 2-Input NAND Gate

Features•  3  Micron  Radiation  Hardened  SOS  CMOS•  Total  Dose  200K  RAD  (Si)•  SEP  Effective  LET  No  Upsets:  >100  MEV-cm2/mg•  Single  Event  Upset  (SEU)  Immunity  <  2  x  10-9  Errors/Bit-Day(Typ)•  Dose  Rate  Survivability:  >1  x  1012  RAD  (Si)/s•  Dose  Rate  Upset  >1010  RAD  (Si)/s  20ns  Pulse•  Cosmic  Ray  Upset  Immunity  <  2  x  10-9  Errors/Gate  Day  (Typ)•  Latch-Up  Free  Under  Any  Conditions•  Military  Temperature  Range:  -55oC  to  +125oC•  Significant  Power  Reduction  Compared  to  LSTTL  ICs•  DC  Operating  Voltage  Range:  4.5V  to  5.5V•  Input  Logic  Levels-  VIL  =  30%  of  VCC  Max-  VIH  =  70%  of  VCC  Min•  Input  Current  Levels  Ii  ≤  5μA  at  VOL,  VOH