离子束注入技术概述 基本原理：离子束射到固体材料以后，受到固体材料的抵抗而速度慢慢减低下来，并最终停留在固体材料中，这一现象就叫做离子注入。 用能量为100keV量级的离子束入射到材料中去，离子束与材料中的原子或分子将发生一系列物理的和化学的相互作用，入射离子逐渐损失能量，最后停留在材料中，并引起材料表面成分、结构和性能发生变化，从而优化材料表面性能，或获得某些新的优异性能。此项高新技术由于其独特而突出的优点，已经在半导体材料掺杂，金属、陶瓷、高分子聚合物等的表面改性上获得了极为广泛的应用，取得了巨大的经济效益和社会效益。 M EVVA（Metal Vapor Vacuum Arc ）源是金属蒸汽真空弧离子源的缩称。这是上世纪80年代中期由美国加州大学伯克利分校的布朗博士由于核物理研究的需要发明研制成功的。 其革命性在于 适用元素种类多；蒸汽纯度取决于阴极材料；省去质量分析仪；发散束流提高加工效率；等等 本人认为这项技术将会在机械行业中大展身手，会被更多的应用到高新材料的表面改性等常规做法不合适的场合 离子束注入技术设备概述 离子注入机： （1）离子源，用于产生和引出某种元素的离子束，这是离子注入机的源头； （2）加速器，对离子源引出的离子束进行加速，使其达到所需的能量； （3）离子束的质量分析（离子种类的选择）； （4）离子束的约束与控制； （5）靶室； （6）真空系统。 当然了，如果是MEVVA的话，设备将大大简化。 离子注入技术应用 离子注入应用于半导体掺杂工艺 集成电路、功率等电气性能 离子注入应用于表面改性 抗腐蚀、硬度、耐磨、润滑、超导导线铌线注锡 离子注入应用于光波导 光纤网络、光纤传感器
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