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0.13μm射频MOS场效应晶体管特性及模拟

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  • 2013-09-22
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标签: 场效应晶体管

场效应晶体管

射频

射频

  采用0113μm  CMOS  射频和混合信号工艺进行了射频nMOS  场效应晶体管版图的优化设计和芯片制作.对制作的射频nMOS  器件进行了直流特性和S  参数测试,  测试结果表明射频nMOS  管的特征频率f  T  达到了93GHz  ,  f  max超过了90GHz  .  采用小信号等效电路模型对该nMOS  管的交流特性进行了模拟.  在100MHz  到30GHz  频率范围内得到了与测试结果相吻合的仿真结果.

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