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2003JUN30_AMD_POW_AN.pdf

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标签： 2003JUN30 IGBT

2003JUN30_AMD_POW_ANIR Application Note AN-955TITLE:Protecting IGBTs and MOSFETs from ESDNotices: (HEXFET is the trademark for International Rectifier Power MOSFETs) Summary:Most power MOSFET users are very familiar with this warning. The problem is that familiarity may breed contempt, especially if one has never destroyed a power MOSFET by improper handling. Statistically, it is unlikely that a particular MOSFET will be destroyed by Electrostatic-Discharge (ESD). However, when thousands of MOSFETs are handled, even a statistically small number of failures may be significant. In view of the fact that IR rejects less than 100 parts per million (ppm) at outgoing Q.A., it is evident that destroying 1 or 2 parts per 1,000 during incoming handling will have a significant impact on the "perceived" quality of ……

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