描述:Metal Film Resistors - Through Hole Product Attribute:Attribute Value Manufacturer:TT Electronics Product Category:Metal Film Resistors - Through Hole
给大家推荐一篇基于模型的 GaN PA 设计基础知识,主要讨论 GaN HEMT 非线性模型对快速高效实现功率放大器 (PA) 设计的重要性。在简单的线性射频/微波放大器设计中,一般利用s参数匹配使增益和增益平坦度最大。同样也会利用这些 S 参数数据来开发匹配网络,以解决放大器稳定性问题。本文讨论在设计氮化镓 (GaN) 功率放大器 (PA) 过程中,使用模型模拟基本的 S 参数和稳定性分析的重要
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