文档解析
本文探讨了在IGBT模块应用中有效抑制过电压的方法。由于超快速IGBT在关断时可能产生过电压尖峰，这不仅会增加开关损耗，还可能对器件造成损害。文章首先分析了产生过电压的原因，主要是由于寄生杂散电感的存在。作者指出，完全消除寄生电感是不现实的，但可以通过优化模块内部结构和主电路设计来减少其影响。接着，文章介绍了一种新的抑制过电压的方法，该方法在IGBT关断时使用零欧姆电阻释放门极电荷，以实现快速关断并减小dV/dt，从而降低过电压尖峰。此外，还提出了在达到主电路电压前通过改变释放路径来进一步减小过电压。最后，通过实验验证了新方法的有效性，展示了不同释放电阻值对开关损耗和过电压的影响，结果表明新方法能显著降低开关损耗并有效控制过电压。
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