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CVD金刚石厚膜晶格缺陷分析

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标签: CVD金刚石厚膜晶格缺陷分析

CVD金刚石厚膜晶格缺陷分析

摘要:应用X射线衍射仪的薄膜附件对热丝化学气相沉积金刚石厚膜的成核面和生长面进行分析,结果表明,金刚石厚膜的晶格常数从生长面到形核面沿深度方向是逐渐变小的。化学气相沉积金刚石初期生长的晶体存在大量的空位等缺陷,晶格松弛,在金刚石膜持续生长过程中,形核面和膜内部在高温下发生长时间的自退火,缺陷浓度下降,晶格松弛现象消除,晶格常数变小并趋于理论值。试验表明,经长时间高温自退火的金刚石厚膜比薄膜具有更高的耐磨性。关键词:CVD金刚石膜;X射线衍射;晶格松弛;自退火;耐磨性能化学气相沉积(CVD)金刚石厚膜具有广阔的应用前景,如用作机械加工刀具、电子封装热沉材料、光学窗口材料等[1]。但沉积金刚石过程中会产生大量缺陷,导致CVD金刚石膜性能下降[2],这些缺陷包括杂质、空位等,它们在微观上表现为晶格常数的变化。本文应用X射线衍射仪分析了热丝CVD法沉积的金刚石厚膜晶格常数的变化规律,采用晶格松弛的观点解释不同厚度金刚石膜的性能差异。

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