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RSD短脉冲放电应用中的集肤效应研究
本文讨论了大功率超高速半导体开关RSD(Reversely Switched Dynistor)导通时的集肤效应,在考虑了大注入效应和强场引起的雪崩电离效应的RSD模型基础上,得到了在集肤效应影响下的芯片上的电流密度分布,越靠近边沿电流密度越大,且随着电流上升率的提高芯片中心和边沿电流密度的差距加大,该结论得到了初步实验验证。基于此,在电流上升率很高的短脉冲放电应用中,应尽量使用小直径RSD芯片,以提高芯片面积的利用率
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