FinFETs和其他多栅极晶体管

The  adoption  of  Silicon-on-Insulator  (SOI)  substrates  for  themanufacturing  of  mainstream  semiconductor  products  such  asmicroprocessors  has  given  SOI  research  an  unprecedented  impetus.  In  thepast,  novel  transistor  structures  proposed  by  SOI  scientists  were  oftenconsidered  exotic  and  impractical,  but  the  recent  success  of  SOI  in  thefield  of  microprocessor  manufacturing  has  finally  given  this  technologythe  credibility  and  acceptance  it  deserves.The  classical  CMOS  structure  is  reaching  its  scaling  limits  and  “end-ofroadmap”alternative  devices  are  being  investigated.  Amongst  the  differenttypes  of  SOI  devices  proposed,  one  clearly  stands  out:  the  multigate  fieldeffect  transistor  (multigate  FET).  This  device  has  a  general  “wire-like”shape  with  a  gate  electrode  that  controls  the  flow  of  current  betweensource  and  drain.  Multigate  FETs  are  commonly  referred  to  as  “multi(ple)-gate  transistors”,  “wrapped-gate  transistors”,  “double-gate  transistors”,“FinFETs”,  “tri(ple)-gate  transistors”,  “Gate-all-Around  transistors”,  etc.The  International  Technology  Roadmap  for  Semiconductors  (ITRS)recognizes  the  importance  of  these  devices  and  calls  them  “Advanced  nonclassicalCMOS  devices”.