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VDMOS
功率VDMOS 器件的工作条件通常恶劣,因此其可靠性研究格外重要。本文总结了目前众多VDMOS 器件可靠性研究的结果,着重讨论了功率VDMOS 在高温大电压的工作环境下,关键电学参数的漂移及其失效机理,击穿特性的异常和改善办法,同时对键合及金属化过程中引发的失效也做了简单论述。
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