coms带隙基准电源设计 陈碧 罗岚 周帅林 （东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心，南京，210018） 摘 要：本文阐述了一种采用了一阶温度补偿技术设计的CMOS带隙基准电压源电路。该电路采用Chartered0.25ｕｍN阱CMOS工艺实现。基于HSPICE的仿真结果表明：当温度在－25℃到85℃之间变化时该电路输出电压的温度系数为12ppm/℃。在3.3V电源电压下的功耗为3.8mw，属于低温漂、低功耗的基准电压源。 关键词：带隙参考电压源 温度补偿 电源抑制比 1 引言 基准电压源是当今集成电路中极为重要的组成部分，尤其是在数模转换器(DAC)以及模数转换器(ADC)等电路中，就更需要设计出一种输出与温度无关的基准电压源。 在MOS技术中，基准电压源是在增强型和耗尽型MOS管的阈值电压之差的基础上实现的，虽然可以获得较低的温度系数，但是由于输出电压的大小取决于离子注入的掺杂浓度大小，所以输出电压的大小很难控制。早期的传统CMOS基准电压源电路可以获得温度系数为85ppm/℃左右的输出参考电压。但是该温度性能往往不能满足目前一些电路的设计要求。 本文主要讨论一种采用一阶温度补偿技术设计的低温漂CMOS带隙基准电压源，并用Chartered 0.25ｕｍ工艺实现了该设计。电路的输出参考电压的温度系数为12.10-6/℃。 2 具体电路实现以及分析 2.1电路实现 在温度T＝300℃ 的时候，VBE 的温度系数大约为-2.2mV/℃,VT的温度系数为+0.086mV/℃ 。由于VBE 和VT的电压温度系数相反，利用这两个电压的线性叠加，可以获得零温度系数的输出电压。这是带隙电压源的基本设计思想。 本文所提出的电路结构如图1所示，在……
推荐内容
开源项目推荐 更多
热门活动
热门器件
用户搜过
随便看看
热门下载
热门文章
热门标签
京公网安备 11010802033920号
Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved
评论