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MISiC肖特基二极管式气体传感器响应特性分析

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标签: MISiC肖特基二极管式气体传感器响应特性分析

MISiC肖特基二极管式气体传感器响应特性分析

分析了金属2绝缘体2SiC  (MISiC)  结构肖特基二极管(SBD)  气体传感器敏感机理,通过将热电子发射理论与隧道理论结合,建立了器件物理模型.  模拟结果表明,响应特性与金属电极类型、绝缘层厚度、气体吸收效率和温度有关.  模拟结果与实验符合较好.  通过模拟,得到MISiC  结构最佳绝缘层(SiO2)  厚度应为1  nm  左右.关 键 词:  MISiC  气体传感器;  肖特基二极管;  模拟

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