低噪声，高增益的SiGe HBT

                        SGA-8343DSSGA-8343(Z)  Low  Noise,  High  Gain  SiGe  HBTSGA-8343(Z)LOW  NOISE,  HIGH  GAIN  SiGe  HBTPackage:  SOT-343Product  DescriptionRFMD’s  SGA-8343  is  a  high  performance  Silicon  Germanium  Heterostructure  Bipolar  Transistor  (SiGe  HBT)  designed  for  operation  from  DC  to  6GHz.  The  SGA-8343  is  optimized  for  3V  operation  but  can  be  biased  at  2V  for  low-voltage  battery  operated  systems.  The  device  provides  high  gain,  low  NF,  and  excellent  linearity  at  a  low  cost.  It  can  be  operated  at  very  low  bias  currents  in  applications  where  high  linearity  is  not  required.  The  matte  tin  finish  on  the  lead-free  package  utilizes  a  post  annealing  process  to  mitigate  tin  whisker  formation  and  is  RoHS  compliant  per  EU  DirecOptimum  Technology  tive  2002/95.  This  package  is  also  manufactured  with  Matching  Applied  green  moldin……