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TI_Design and Application Guide for High Speed MOSFET Gate Drive Circuits

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标签: 电子

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TI_Design  and  Application  Guide  for  High  Speed  MOSFET  Gate  Drive  Circuits

文档内容节选

Design And Application Guide for High Speed MOSFET Gate Drive Circuits By Laszlo Balogh ABSTRACT The main purpose of this paper is to demonstrate a systematic approach to design high performance gate drive circuits for high speed switching applications It is an informative collection of topics offering a onestopshopping to solve the most common design challenges Thus it should be of interest to power electronics engineers at all levels of experience The most popular circuit solutions and their p......

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文档解析

本文是一篇关于高速MOSFET栅极驱动电路设计与应用的指南,由Laszlo Balogh撰写。文章系统地介绍了如何为高速开关应用设计高性能的栅极驱动电路,并分析了流行电路解决方案及其性能,包括寄生元件、瞬态和极端工作条件的影响。内容涵盖了从简单到复杂的各种问题,从MOSFET技术和开关操作的概述开始,详细描述了地参考和高侧栅极驱动电路的设计流程,包括交流耦合和变压器隔离解决方案。特别章节讨论了同步整流应用中MOSFET的栅极驱动要求。文章还包括几个逐步的数值设计示例,以补充理论内容。本文旨在帮助各级别的电力电子工程师解决最常见的设计挑战。

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