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掩模曝光剂量的精细控制工艺设计

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标签: 掩模曝光剂量的精细控制工艺设计

掩模曝光剂量的精细控制工艺设计

掩模曝光剂量的精细控制工艺设计 胡广荣  李文石(苏州大学  电子信息学院  微电子学系,江苏  苏州  215021)摘要:本文从光学邻近效应的机理出发,  基于区域划分掩模特征线条,实施曝光剂量控制,从而达到光学邻近效应的精细校正。通过模拟测试图形得到改进后的掩模图形畸变率,与传统曝光剂量校正法相比,减少了约4%。关键词:  光学邻近效应校正,  特征线条区域划分,  图形畸变率

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