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掩模曝光剂量的精细控制工艺设计
掩模曝光剂量的精细控制工艺设计 胡广荣 李文石(苏州大学 电子信息学院 微电子学系,江苏 苏州 215021)摘要:本文从光学邻近效应的机理出发, 基于区域划分掩模特征线条,实施曝光剂量控制,从而达到光学邻近效应的精细校正。通过模拟测试图形得到改进后的掩模图形畸变率,与传统曝光剂量校正法相比,减少了约4%。关键词: 光学邻近效应校正, 特征线条区域划分, 图形畸变率
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