CMOS工艺中GG2NMOS结构ESD保护电路设计

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2018-11-20
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CMOS工艺中GG2NMOS结构ESD保护电路设计:采用GG2NMOS 结构的ESD 保护电路的工作原理和对其进行的ESD 实验,提出了一种保护电路的栅耦合技术方案,并达到了预期效果. 通过实验可以看出其性能达到了人体放电模式的2 级标准. 在模拟的基础上可确定损伤的机理和位置,从而给出了由ESD 导致的栅氧化层损伤的微观机制.关键词: ESD ; GG2NMOS ; 人体放电模式; 栅耦合

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: jujuyaya222; 查看他的其他资源

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