辐照电子在光纤芯处能量沉积的计算:摘要 为了用尽可能低的辐照电子能量在光纤芯处形成大的性质改变, 模拟 了0 . 1 ~1 Me V能量的电子辐照二氧化硅。发现每一特定能量的电子辐照二氧化硅时, 在其中有个能量沉积最快 的位置。计算得到 0 . 4 4 7 4 Me V能量的电子在单模光纤中心能量沉积最快, 分析发现对于这个 能量的电子多数可以穿透到光纤芯处, 电子能量在光纤芯处的沉积主要是由于电子能量的减小 造成的。这些结果可为用电子辐照光纤制作光器件时的初始电子能量选择提供参考。 关键词 石英光纤; 电子辐照 ; 能量沉积
评论