FM22L16 pdf datasheet (4Mbit FRAM Memory)

The  FM22L16  is  a  256Kx16  nonvolatile  memory  thatreads  and  writes  like  a  standard  SRAM.  Aferroelectric  random  access  memory  or  FRAM  isnonvolatile,  which  means  that  data  is  retained  afterpower  is  removed.  It  provides  data  retention  for  over10  years  while  eliminating  the  reliability  concerns,functional  disadvantages,  and  system  designcomplexities  of  battery-backed  SRAM  (BBSRAM).Fast  write  timing  and  high  write  endurance  makeFRAM  superior  to  other  types  of  memory.In-system  operation  of  the  FM22L16  is  very  similarto  other  RAM  devices  and  can  be  used  as  a  drop-inreplacement  for  standard  SRAM.  Read  and  writecycles  may  be  triggered  by  /CE  or  simply  bychanging  the  address.  The  FRAM  memory  isnonvolatile  due  to  its  unique  ferroelectric  memoryprocess.  These  features  make  the  FM22L16  ideal  fornonvolatile  memory  applications  requiring  frequentor  rapid  writes  in  the  form  of  an  SRAM.The  FM22L16  includes  a  low  voltage  monitor  thatblocks  access  to  the  memory  array  when  VDD  dropsbelow  a  critical  threshold.  The  memory  is  protectedagainst  an  inadvertent  access  and  data  corruptionunder  this  condition.  The  device  also  featuressoftware-controlled  write  protection.  The  memoryarray  is  divided  into  8  uniform  blocks,  each  of  whichcan  be  individually  write  protected.The  device  is  available  in  a  400  mil  44-pin  TSOP-IIsurface  mount  package.  Device  specifications  areguaranteed  over  industrial  temperature  range  –40°Cto  +85°C.