FM1608 pdf datasheet (64Kb Bytewide FRAM Memory)

employing  an  advanced  ferroelectric  process.  Aferroelectric  random  access  memory  or  FRAM  isnonvolatile  but  operates  in  other  respects  as  a  RAM.It  provides  data  retention  for  45  years  whileeliminating  the  reliability  concerns,  functionaldisadvantages  and  system  design  complexities  ofbattery-backed  SRAM.  Its  fast  write  and  high  writeendurance  make  it  superior  to  other  types  ofnonvolatile  memory.In-system  operation  of  the  FM1608  is  very  similar  toother  RAM  based  devices.  Minimum  read-  and  writecycletimes  are  equal.  The  FRAM  memory,  however,is  nonvolatile  due  to  its  unique  ferroelectric  memoryprocess.  Unlike  BBSRAM,  the  FM1608  is  a  trulymonolithic  nonvolatile  memory.  It  provides  the  samefunctional  benefits  of  a  fast  write  without  the  seriousdisadvantages  associated  with  modules  and  batteriesor  hybrid  memory  solutions.These  capabilities  make  the  FM1608  ideal  fornonvolatile  memory  applications  requiring  frequentor  rapid  writes  in  a  bytewide  environment.  Theavailability  of  a  true  surface-mount  package  improvesthe  manufacturability  of  new  designs,  while  the  DIPpackage  facilitates  simple  design  retrofits.  TheFM1608  offers  guaranteed  operation  over  anindustrial  temperature  range  of  -40°C  to  +85°C.