模拟电子技术第1章 半导体二极管及其应用电路本章重点内容 z PN结及其单向导电特性 z 半导体二极管的伏安特性曲线 z 二极管在实际中的应用1.1PN结价电子＋4＋4＋41.1.1 本征半导体＋4 ＋4 ＋4共价键的两 个价电子自由电子＋4cb＋4 ＋4a＋4空穴（a）硅和锗原子的简化结构模型 (b)晶体的共价键结构及电子空穴对的产生 图 1.1硅、锗原子结构模型及共价键结构示意图 1.1.2 杂质半导体 1．N型半导体 2．P型半导体＋4＋4＋4＋4＋5＋4＋4＋4＋4自由电子 磷原子 电子一空穴对图1.2N型半导体的结构 空穴＋4 ＋4 ＋4＋4＋3＋4＋4＋43. PN结的形成P区硼原子＋4电子一空穴对图1.3N区P型半导体的结构P区 空间电荷区 N区内电场图1.4 PN结的形成 4． PN结的单向导电特性 (1) PN结的正向导通特性P 空穴 (多数) 电子 (多数) R IR 内电场 外电场 IR≈0 内电场 外电场 变薄 N P 电子 (少数) 空穴 (少数) R 变 厚 N(a) 正向偏置 图1.5 PN结的导电特性 (2) PN结的反向截止特性 1.2 半导体二极管1.2.1 半导体二极管的结构及其在电路中的符号（b）反向偏置 外壳(阳极) P N(阴极) － ＋VD(阴极) －阳极引线阴极引线（a） 结构（b）电路符号（c）实物外形图1.6 二极管结构、符号及外形1.2.2 半导体二极管的伏安特性iv/m A 1 5 I -U（BR）锗 B′硅B30 C′R1 A 00 ′CA 0.2 0……
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