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《安世半导体的GaN FET——高性能、高效、可靠性手册》

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2020-08-11
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标签：安世半导体 Nexperia GaN FET

安世半导体的GaN FET——高性能、高效、可靠性手册。

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Nexperia公司的高功率氮化镓(GaN)场效应晶体管以其高性能、高效率和高可靠性而著称，基于成熟的零缺陷工艺，符合多项国际标准，包括ISO 9000、ISO 14001、ISO 45001/OHSAS 18001以及特定行业标准IATF 16949。公司自有晶圆加工和封装工厂，确保生产过程的严格把控。这些GaN FETs在研发时经过了特别的质量和可靠性测试，以满足汽车行业的AEC-Q101标准，并展现出比硅(Si)器件更低的反向恢复损耗，例如GAN041-650WSB型号的Qrr仅为144nC，而硅MOSFET为2790nC。

硅基氮化镓技术实现了高功率密度和高效率，特别适用于需要高频开关操作的应用，如车载充电器、DC/DC转换器和电机驱动牵引逆变器。Nexperia与Ricardo合作，开发基于GaN的电动汽车牵引逆变器，利用GaN FET技术提高系统效率和降低成本。此外，GaN FETs在物联网基础设施中也发挥着关键作用，尤其是在需要高效率电源的应用中。

Nexperia的GaN FET产品线包括GAN063-650WSA和GAN041-650WSB，具有低RDS(on)、快速开关和高耐久性等特点。公司还规划了未来产品，包括符合车规质量标准的产品和更高耐压的解决方案。CCPAK封装技术的应用，提供了低寄生电感和高可靠性，满足工业和电动汽车应用的需求。

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