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基于In2O3膜HSGFET型功函数O3传感器的研究

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标签: 基于In2O3膜HSGFET型功函数O3传感器的研究

基于In2O3膜HSGFET型功函数O3传感器的研究

本文以In2O  3  及其混合物为敏感材料,  采用悬浮栅结构和功函数方法,  研究出可在室温下工作的HSGFET型功函数O  3  传感器,  并给出传感器对O  3  响应曲线以及实验结果的理论分析等.关键词:  In2O  3  膜;  HSGFET  型;  功函数;  O  3  传感器

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