今天我在富士通网站下了一些低噪声放大器（管芯）的DATE

                        FHX45XFHX45XGaAs  FET  &  HEMT  Chips  FEATURES      Low  Noise  Figure:  0.55dB  (Typ.)@f=12GHz  High  Associated  Gain:  12.0dB  (Typ.)@f=12GHz  Lg  ≤  0.15m,  Wg  =  280m  Gold  Gate  Metallization  for  High  ReliabilityGateDrainDESCRIPTIONThe  FHX45X  is  a  Super  High  Electron  Mobility  Transistor  TM  (SuperHEMT  )  intended  for  general  purpose,  ultra-low  noise  and  high  gain  amplifiers  in  the  2-18GHz  frequency  range.  The  device  is  well  suited  for  telecommunication,  DBS,  TVRO,  VSAT  or  other  low  noise  applications.  Fujitsu’s  stringent  Quality  Assurance  Program  assures  the  highest  reliability  and  consistent  performance.  ABSOLUTE  MAXIMUM  RATING  (Ambient  Temperature  Ta=25°C)Item  Drain-Source  Voltage  Gate-Source  Voltage  Total  Power  Dissipation  Storage  Temperature  Channel  Temperature*Note:  Mounted  on  Al2O3  board  (30  x  30  ……