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低温生长GaAs在Nd:YVO4激光器中调Q特性的研究

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标签: 低温生长GaAs在Nd:YVO4激光器中调Q特性的研究

低温生长GaAs在Nd:YVO4激光器中调Q特性的研究

                研究了激光器的调Q特性,调Q抽运阈值为2W。在抽运功率9.2W时,获得的最短脉冲半峰全宽为15ns,最大单脉冲能量为4.84微J,最高峰值功率为330W,最大平均输出功率为1.16W;脉冲重复频率在220kHz到360kHz之间。

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