技术对决 NOR闪存Vs NAND闪技术对决 NOR闪存Vs NAND闪存 芯片逻辑架构上的差异 NOR与NAND闪存之间在市场上的较量一直没有停止过,但是由于两者的个性都比较明显,所以在所针对的应用领域方面倒并没有太多的冲突。不过,这种“平稳”的局面近年来有所打破,而对于某一领域的开发商仍然要关注两者的不同以做出正确的选择。 NOR与NAND的“个性”化特征始于两者的内在设计的区别。从架构上看,NOR闪存的设计明显与传统的DRAM相似,地址线与数据线是独立的。而NAND则是共用的,这也是其与NOR型闪存的最大不同之处。 [pic] NOR闪存的架构图,地址线与数据线是独立的(点击放大) [pic] NAND闪存的架构图,数据与地址线共用是其一大特点(点击放大) 而从存储阵列的设计上,我们更能发现巨大的差异。NOR闪存的阵列很像传统的DRAM,大多也划分了逻辑Bank(有的厂商称之为分区——Partition),但与DRAM不同的是,逻辑Bank的大小根据设计有时会不相同。至于NAND的阵列设计,则完全是另一回事。 [pic] NOR闪存阵列大多划分了逻辑Bank,与DRAM架构很相似(点击放大) [pic] NAND闪存的阵列模型,与传统的DRAM截然不同,图为8bit位宽128Mbit芯片(点击放大 ) 看到NAND的设计是不是很奇怪?NAND……
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