用直接隧道栅电流在线表征PMOSFET 负偏压温度不稳定性贾高升许铭真(北京大学微电子所 100871)摘要本文提出了一种在线表征负偏压温度不稳定性(NBTI,negative bias temperatureinstability)退化的方法——直接隧道栅电流表征法(DTGCM,DT Gate Current Method)。用这种方法可以得到NBTI 应力诱生在超薄栅氧化层中的缺陷密度(包括氧化层体陷阱密度和界面态密度),并得到PMOSFET器件阈值电压的漂移(ΔVth)信息。这种方法可以有效避免NBTI 恢复效应的影响。关键词 超薄栅氧化层,PMOSFET, 负偏压温度不稳定性(NBTI), 退化, 恢复效应
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