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用直接隧道栅电流在线表征PMOSFET负偏压温度不稳定性

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标签: 直接

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隧道

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电流

电流

在线

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表征

在线

用直接隧道栅电流在线表征PMOSFET  负偏压温度不稳定性贾高升许铭真(北京大学微电子所  100871)摘要本文提出了一种在线表征负偏压温度不稳定性(NBTI,negative  bias  temperatureinstability)退化的方法——直接隧道栅电流表征法(DTGCM,DT  Gate  Current  Method)。用这种方法可以得到NBTI  应力诱生在超薄栅氧化层中的缺陷密度(包括氧化层体陷阱密度和界面态密度),并得到PMOSFET器件阈值电压的漂移(ΔVth)信息。这种方法可以有效避免NBTI  恢复效应的影响。关键词  超薄栅氧化层,PMOSFET,  负偏压温度不稳定性(NBTI),  退化,  恢复效应

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