对用于集成电路设计实现和签核的电子设计自动化(EDA)工具而言,精确的库模型具有重要的意义。为确保90纳米及以下技术结点范围内的高精确度,库模型必须能够更为详细地提取单元中复杂的晶体管特征。因此,基于电流的建模技术被引入并采用,而且成为了用于纳米级时序效应建模的一种有效方法。但是,由于设计人员希望能够在对自己的设计进行优化和签核时考虑时序、功耗和噪声的因素,单有精确的时序模型还不够。为了在纳米级集成电路中全面地处理这些相互依赖的因素,设计人员需要一种统一的基于电流的库模型,以便能对上述三个类别的设计进行同步的分析和优化。
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