FET switch 原理

                        GaAs  FETs  as  control  devicesGaAs  FETs  as  Control  DevicesAPN2015Gallium  arsenide  MESFETs  are  being  used  in  RF  control  device  applications  as  switches  and  attenuators.  They  are  very  easily  adapted  to  monolithic  circuit  form,  dissipate  essentially  no  power  and  can  easily  be  designed  into  broadband  circuits.  The  RF  signal  flows  from  source  to  drain,  while  the  RF  isolated  gate  is  the  voltage  control.  The  high  impedance  “off  state”  is  attained  by  applying  a  DC  voltage  on  the  gate  more  negative  than  the  “pinch-off”  voltage  (VP).  In  this  condition  the  source-drain  channel  is  “pinched  off.”  The  capacitance  is  typically  0.25  pF  per  mm  of  gate  periphery  (see  Figure  1A).  The  “on”  state  occurs  when  zero  DC  bias  is  applied  to  the  gate  (see  Figure  1B).  The  channel  from  source  to  drain  is  “open”  and  represents  a  2.5……