热搜关键词: 机器人电路基础模拟电子技术matlablinux内核

zip

一种无片外电容LDO的瞬态增强电路设计

  • 1星
  • 2013-09-22
  • 1.6MB
  • 需要2积分
  • 0次下载
标签: RC电路

RC电路

LDO

LDO

利用RC高通电路的思想,针对LDO提出了一种新的瞬态增强电路结构。该电路设计有效地加快了LDO的瞬态响应速度,而且瞬态增强电路工作的过程中,系统的功耗并没有增加。此LDO芯片设计采用SMIC公司的0.18  μm  CMOS混合信号工艺。仿真结果表明:整个LDO是静态电流为3.2  μA;相位裕度保持在90.19°以上;在电源电压为1.8  V,输出电压为1.3  V的情况下,当负载电流在10  ns内由100  mA降到50  mA时,其建立时间由原来的和28  μs减少到8  μs;而在负载电流为100  mA的条件下,电源电压在10  ns内,由1.8  V跳变到2.3  V时,输出电压的建立时间由47  μs降低为15  μs。

展开预览

评论

登录/注册

意见反馈

求资源

回顶部

推荐内容

热门活动

热门器件

随便看看

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved
×