线性电子电路教案_MOS管的基础知识

                        MOS管的基础知识线性电子电路教案第三章知识要点：场效应管场效应管原理、场效应管的小信号模型及其参数场效应管是只有一种载流子参与导电的半导体器件，是一种用输入电压控制输出电流  的半导体器件。有  N  沟道器件和  P  沟道器件。有结型场效应三极管  JFET(Junction  Field  Effect  Transister)和绝缘栅型场效应三极管  IGFET(  Insulated  Gate  Field  Effect  Transister)  之分。IGFET  也称金属-氧化物-半导体三极管  MOSFET  （Metal  Oxide  Semiconductor  FET）  。1.1  MOS  场效应管MOS  场效应管有增强型（Enhancement  MOS  或  EMOS）和耗尽型(Depletion)MOS  或  DMOS）两大类，每一类有  N  沟道和  P  沟道两种导电类型。场效应管有三个电极：  D(Drain)  称为漏极，相当双极型三极管的集电极；  G(Gate)  称为栅极，相当于双极型三极管的基极；  S(Source)  称为源极，相当于双极型三极管的发射极。1.1.1增强型  MOS(EMOS)场效应管根据图  3-1，N  沟道增强型  MOSFET  基本上是一种左右对称的拓扑结构，它是在  P  型半导体上生成一层  SiO2  薄膜绝缘层，  然后用光刻工艺扩散两个高掺杂的  N  型区，  从N  型区引出电极，一个是漏极  D，一个是源极  S。在源极和漏极之间的绝缘层上镀一层金  属铝作为栅极  G。P  型半导体称为衬底，用符号  B  表示。图  3-1N  沟道增强型  EMOS  管结构示意一、工作原理1．沟道形成原理  当  VGS=0  V  时，漏源之间相当两个背靠背的二极管，在  D、S  之间加上电压不会在  D、  S  间形成电流。  当栅极加有电压时，若  0＜VGS＜VGS(th)时，通……