TH50VPF5783_toshiba_FALSH规格书

                        TH50VPF5783_toshiba_TH50VPF5782/83AASBTOSHIBA  MULTI-CHIP  INTEGRATED  CIRCUIT  SILICON  GATE  CMOSPSEUDO  SRAM  AND  FLASH  MEMORY  MIXED  MULTI-CHIP  PACKAGE  DESCRIPTIONTENTATIVESpecial  to  LGEThe  TH50VPF5782/83AASB  is  a  mixed  multi-chip  package  containing  a  33,554,432-bit  pseudo  static  RAM  and  a  134,217,728-bit  flash  memory.  The  BYTE  inputs  can  be  used  to  select  the  optimal  memory  configuration.  The  power  supply  for  the  TH50VPF5782/83AASB  can  range  from  2.7  V  to  3.3  V  The  TH50VPF5782/83AASB  can  perform  simultaneous  read/write  operations  on  its  flash  memory  and  is  available  in  a  73-pin  BGA  package  making  it  suitable  for  a  variety  of  applications.FEATURES        Power  supply  voltage  VCCps  =  2.7  V~3.3  V  VCCf  =  2.7  V~3.3  V  Pseudo  SRAM  and  Flash  Memory  page  operation  mode  Page  read  operation  by  8  words  Logic  co……