热搜关键词: matlab人工智能算法嵌入式雷达电机驱动

pdf

FSL新出放大管

  • 1星
  • 2013-09-29
  • 1.27MB
  • 需要2积分
  • 0次下载
标签: MRFE6VS25N

MRFE6VS25N

                        MRFE6VS25NFreescale  Semiconductor  Technical  DataDocument  Number:  MRFE6VS25N  Rev.  0,  6/2012RF  Power  LDMOS  TransistorHigh  Ruggedness  N--Channel  Enhancement--Mode  Lateral  MOSFETMRFE6VS25NR1RF  power  transistor  designed  for  both  narrowband  and  broadband  ISM,  broadcast  and  aerospace  applications  operating  at  frequencies  from  1.8  to  2000  MHz.  This  device  is  fabricated  using  Freescale’s  enhanced  ruggedness  platform  and  is  suitable  for  use  in  applications  where  high  VSWRs  are  encountered.  Typical  Performance:  VDD  =  50  VoltsFrequency  (MHz)  1.8  to  30  (1)  512  512  1030  Signal  Type  Two--Tone  (10  kHz  spacing)  Pulse  (100  μsec,  20%  Duty  Cycle)  CW  CW  Pout  (W)  25  PEP  25  Peak  25  25  Gps  (dB)  25  25.4  25.5  22.5  ηD  (%)  51  74.5  74.7  60  IMD  (dBc)  --30  ―  ―  ―1.8-2000  MHz,  25  W,  50  V  WIDEBAND  RF  POWER  LDMOS  TRANSIST……                       

展开预览

猜您喜欢

评论

登录/注册

意见反馈

求资源

回顶部

推荐内容

热门活动

热门器件

随便看看

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved
×