TF2110是高电压 高速MOSFET，IGBT驱动芯片，可直接替代IR2110，高性价比。
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特点 Features 驱动两个N沟道MOSFET或IGBT高侧低侧配 置浮动高侧驱动器可以驱动的门电压高达 500V600V 灌25A 25A源的典型输出电流 负瞬态输出宽容 栅极驱动器宽电源电压范围：10V到20V 逻辑输入宽电压范围：33V至20V 宽逻辑电源偏移电压范围：5V至5V 10nsTF2110 20ns TF2113的最大延迟匹配 27 ns典型值的上升 17 ns典型值下降 时间与1000 pF负载 120 ns典型值的导通 94 ns典型值 的 关断延迟时间 过低压锁定高侧和低侧驱动器 逐周期边沿触发关断电路 扩展温度范围：40C至125C 直接替代IR2110 IR2113 应用 Applications DCDC 转换器 ACDC 逆变器 电机控制 D类功率放大器 典型应用 Typical Application 描述 Description TF2110 TF2113是高电压，高速MOSFET和IGBT驱动器 具有独立的高侧和低侧输出 高侧驱动器提供浮动电 源高达500V 600V10......
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