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Si衬底GaN基材料及器件的研究

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标签: Si衬底GaN基材料及器件的研究

Si衬底GaN基材料及器件的研究

                GaN作为新型的宽禁带半导体材料,一直是国际上化合物半导体方面研究的热点。GaN属于直接带隙材料,可与InN,AlN形成组分连续可变的三元或四元固溶体合金(AlGaN、InGaN、AlInGaN),对应的波长覆盖了红光到近紫外光的范围,而且具有化学稳定性和热稳定性好等优越的特性,因此在光电子领域具有极大的应用前景。

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评论

Laurencui
现在氮化镓技术很火,学习起来!感谢分享!
2019-10-22 22:21:50
aprilliu
感谢分享。不过这种技术比较小众
2018-03-14 18:47:58
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