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这篇1995年12月发表于《IEEE固态电路杂志》的论文介绍了一种为高速低功耗模数转换器(A/D转换器)前端设计的200MHz、15毫瓦的双极互补金属氧化物半导体(BiCMOS)采样保持放大器。该放大器采用BiCMOS采样开关和低压放大器,实现了在3伏电源下1.5伏的输入/输出电压摆幅,并能够以65分贝的谐波失真率处理10MHz的模拟输入。此外,电路还采用了一种消除技术,以减轻保持模式下输入信号泄漏与采样速度之间的权衡。该电路在20GHz 1微米BiCMOS技术中制造,实验原型在10MHz模拟输入下展现出65分贝的谐波失真,50MHz模拟输入时的输入信号泄漏为52分贝,下降速率为40微伏/纳秒。这项研究展示了在3伏电源系统中,通过使用低电压技术,能够实现10位动态范围的高速采样保持放大器,同时具有低功耗的特点。
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