文档解析
本文是一份关于集成电路版图设计的学习资料，主要面向初学者，介绍了几种不同类型的电阻画法以及版图设计的基本流程和原理。文中详细讨论了poly电阻、nwell电阻、pplus电阻和nplus电阻的画法，并对电阻端点的定义、材料选择和工艺步骤进行了解释。例如，nwell电阻的force和sense端需要加thin oxide和nplus，而pplus电阻则需要画在nwell中，并且sub端要接高电位。文章还解释了thin oxide的作用和nwell、p+/n+ plus在制造过程中的步骤，以及guard ring的配置和影响。
进一步，文章通过CMOS反相器的例子，阐述了版图设计的目的和重要性，即通过图形化的方式形成MOS管，并确保有输入、输出端和连接点。文中描述了从衬底的准备到氧化层、氮化硅层的沉积，再到离子植入、多晶硅沉积和刻蚀等步骤，直至最终的金属层沉积和表面平坦化处理。此外，文章还强调了版图设计中各层之间的相互关系和作用，如P-well和N-well层的不重叠、器件图形的阱覆盖、离子植入层的尺寸要求，以及contact层与metal层或poly层的接触点。
整体而言，这篇文章为新手提供了版图设计方面的基础知识和深入理解，有助于加速他们对版图设计的认识和学习。
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