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过热保护
电源管理芯片
BiCMOS集成电路
利用晶体管PN结的导通电压随温度升高而降低,而其变化值随温度的升高而增加的特性,设计了集成于电源管理芯片内部的温度传感器,实现了过热保护,并通过反馈延迟重新接通电源,避免了在过热温度点的热振荡. 采用0. 6μm BiCMOS工艺参数,对电路进行模拟仿真. 结果表明,该电路的功耗低(静态电流约0. 5μA) ;在电源电压为2. 5~5. 0 V,关断温度设置为150 ℃时,关断温度误差< ±1. 00 ℃;重新接通电源的迟滞温度设置为135 ℃时,实际接通电源时的温度误差< ±0. 01 ℃.
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