文档解析
这份文件是关于CMOS工艺流程的详细介绍，由Hong-Yi Huang（黃弘一）撰写。文档首先概述了不同的CMOS工艺节点，包括0.25um、0.18um、0.15um、0.13um和0.09um技术，并特别强调了TSMC的90纳米Nexsys技术，这是一种满足广泛应用需求的高性能、低功耗、混合信号/射频和嵌入式存储器选项的技术平台。Nexsys技术采用独特的三重栅氧层选项，允许在单个芯片上实现不同的氧层厚度，从而消除了由不同核心/I/O组合需求引起的设计限制。
接着，文档深入讨论了0.09um工艺技术的特点，如核心供电电压范围、I/O和模拟块的电压范围、多阈值电压选项、极紧密的工艺控制、镍盐水溶液以改善狭窄线宽的电阻率、九层铜互连以及低k介质材料等。此外，还提到了TSMC计划发布的嵌入式1TRAMTM和6T/8T SRAM，以及Nexsys Prototyping Service的启动，这是一个考虑到90纳米一代掩模和晶圆成本不断上升的成本共享原型制作服务。
文档还涵盖了铜互连、混合信号/射频技术、CMOS工艺、双极性工艺、工艺集成、布局设计规则、模拟布局考虑、MOS晶体管布局、双极性晶体管布局、电阻器布局、电容器布局、电感器布局、CMOS锁存效应、ESD（静电放电）保护、模拟单元/宏布局、电源分配和信号完整性、混合信号IC的平面规划、混合信号IC的噪声源等多个方面的内容，提供了丰富的技术细节和深入分析。
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