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一种高性能CMOS带隙电压基准源设计

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  • 日期: 2020-12-29
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标签: 带隙电压基准源

带隙电压基准源

温度补偿

以玻璃电极为指示电极,饱和甘汞电极为参比电极,插入溶液中组成原电池。当氢离子浓度发生变化时,玻璃电极和甘汞电极之间的电动势也随着变化,在25℃时,每单位pH标度相当于59.1mV电动势变化值,在仪器上直接以pH的读数显示。

采用一级温度补偿和电阻二次分压技术设计了一种高性能CMOS  带隙电压基准源电路,  其输出电压为0.  20~1.  25V,  温度系数为2.  5×10-  5/  K.  该带隙电压基准源电路中的深度负反馈运算放大器为低失调、高增益的折叠型共源共栅运算放大器.  采用Hspice  进行了运算放大器和带隙电压基准源的电路仿真,  用TSMC  0.  35μm  CMOS工艺实现的带隙基准源的版图面积为645μm×196μm.

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