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自偏置电流
带隙基准电压
采用了一种结构新颖的CMOS 基准源结构,该电路结构利用带隙基准结构产生的高精度PTAT 电流作为内部OP AMP 的自偏置电流,从而省去了PTAT 电流产生电路,使芯片面积更小,基准电流更加接近理想的PTAT电流。该电路结构产生的带隙基准电压温漂达到18.8PPM/℃,PTAT 电流几乎与电源电压无关。
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