集成电路设计实习
VLSI Design Labs
综合实验：SRAM的设计
授课教师：贾嵩、鲁文高、王源、崔小欣
Institute of Microelectronics Peking University
2010-2011
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实验目的
采用定制的设计方法，完成128×8bit的SRAM的设计
面向Chart
0.35um工艺，完成电路设计，版图设计
通过实验学习如½有效地组织较大规模的数字电路的设计
掌握cmos集成电路的设计方法，熟悉从电路分析，电路设计到流
片和测试的设计过程
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集成电路设计实习－综合实验
128*8SRAM
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实验要求
功½：128×8½的SRAM的设计，包括对存储单元的按字节的正确
的读写操½
速度：读写访问时间不超过2ns
面积：版图½量接近正方½，½度和高度比例不超过2：1或者1：2
功耗：没有要求
可靠性：没有要求
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128*8SRAM
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实验内容
电路设计
版图设计
版图验证
封装和测试安排
实验报告
实验陈述ppt
芯片测试和测试报告
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芯片结构
输入信号：
A6－－A0，7½地址信号
Din[7:0]—8½数据输入信号
READ/WE，读写控制信号
CE，片选信号
双向信号：
Dout[7:0]--8½数据输出信号
电源：电源和地信号
自己可以根据需要，添加额外的控制信号
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