集成于射频芯片的
LDO
电路设计报告
总½电路仿真报告
版图设计报告
电子科技大学
VLSI
设计中心
2015
年
11
月
10
日
目 ½
目
½
第一部分 应用
...................................................................................1
LDO
的分析与设计
............................................................................................................................................ 1
LDO
芯片的特点
................................................................................................................................................ 1
LDO
芯片的详细性½参数
................................................................................................................................ 1
第二部分 电路设计报告...................................................................
5
整½电路上电启动模块
..................................................................................................................................... 5
电流偏½模块
..................................................................................................................................................... 7
带有修调功½的基准模块
................................................................................................................................11
带隙基准源的修调电路设计
........................................................................................................................... 21
预调整放大器模块
........................................................................................................................................... 23
½通滤波器模块
............................................................................................................................................... 27
保护电路模块
................................................................................................................................................... 31
电压跟随器模块
............................................................................................................................................... 39
第三部分 总½电路的仿真
............................................................43
直流参数
........................................................................................................................................................... 44
线性调整率
....................................................................................................................................................... 45
负½½调整率
....................................................................................................................................................... 46
静态电流
........................................................................................................................................................... 46
瞬态仿真
........................................................................................................................................................... 47
噪声仿真
........................................................................................................................................................... 48
交流特性仿真
................................................................................................................................................... 49
PSRR
特性仿真
................................................................................................................................................ 52
第四部分
LDO
芯片版图设计
.......................................................56
I
电子科技大学
VLSI
设计中心
第一部分 应用
LDO
的分析与设计
本论文完成了一种应用于集成于射频芯片的LDO的分析与设计。本文主要从稳定性、负
½½瞬态响应、电源抑制比和噪声四个方面进行了分析。然后，采用SMIC
0.18μm CMOS工艺
完成了包括功率调整管、电阻反馈½络和误差放大器三个部分的电路设计，并用Cadence
Spectre对设计的整½电路进行了仿真和优化，最终实现电路的设计要求，而且可以在片内
集成。可在0.1mA½300mA的负½½电流范围内稳定工½，电路正常工½时温度范围：-55℃
~+125℃，该电路工½电压范围为2.1½3.6V，输出电压1.8V，输出电压在全范围的波动：
≤4mV，输出电压准精度：≤10mV，最小压差在300mV以下，静态电流≤60uA；在10Hz½100KHz
范围内的内部输出噪声积分约为，≤20μVRMS@20mA、≤50μVRMS@80mA、≤100μVRMS
@300mA；
电源抑制比（PSRR，在10KHZ以下）：≥60dB@20mA、≥60dB@80mA、≥60dB@300mA；线性调整
率：≤0.1%；负½½调整率：≤1%；启动时间：≤100us；电压瞬态响应：≤30us；负½½瞬态响应：
≤50us；输出启动电压过冲：≤100mV；集成输入欠压过压保护、输出断路保护。另外集成过
温保护以及输入½启动电路。
LDO
芯片的特点
½静态电流
0.1mA½300mA的负½½电流范围内稳定工½，带½½½力强
在10Hz½100KHz范围内的内部输出噪声小
高电源抑制比（PSRR，在100KHZ以下）
可全片内集成
LDO
芯片的详细性½参数
下面将集中讲述一下此次芯片电路设计应该满足的条件，以便于在电路设计过程中有
1
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