芯片微纳制造技术

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文档解析

这份PPT文档《微电子制造原理与技术》由李明教授提供，涵盖了芯片制造的核心技术和原理。文档分为薄膜技术、光刻技术、互连技术和氧化与掺杂技术四个主要部分。

薄膜技术部分介绍了IC中薄膜的分类和应用，如钝化层、金属膜、介质膜等，以及它们在半导体器件中的关键作用。详细讨论了氧化膜的不同应用，如绝缘栅介质、掩蔽膜、缓应力冲层等，并列举了氧化膜在不同应用中的典型厚度。此外，还探讨了薄膜材料的性能要求和成膜技术，包括CVD和PVD等。

光刻技术部分强调了光刻在微电子制造中的重要性，描述了光刻的基本过程，包括涂胶、软烘、对准曝光、曝光后烘焙、显影等步骤。同时，介绍了光刻技术的发展历程，从接触式光刻机到先进的EUV光刻技术，以及曝光光源与解像度之间的关系。

互连技术部分讨论了器件之间以及器件与外部的连接问题，包括局域互连和层间互连。重点介绍了铜互连技术，包括其基本工艺流程和在130nm以下工艺中的应用。

氧化与掺杂技术部分解释了掺杂的用途和方法，包括热扩散和离子注入，以及它们在提高硅导电性方面的作用。

整体而言，文档为读者提供了微电子制造领域的全面技术概览，强调了各个技术环节的重要性和它们在芯片制造中的应用。

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